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NSM6056MT1G
Bipolares Transistor-Array, NPN, 40 V, 600 mA, 380 mW
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.0673 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSM6056MT1G
Bestellnummer2724367
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.40V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN600mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN380mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.20hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSC-74
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN250MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
600mA
Verlustleistung, NPN
380mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
20hFE
Bauform - Transistor
SC-74
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
250MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000003
Produktnachverfolgung