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FGA25N120ANTDTU-F109
IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGA25N120ANTDTU-F109
Bestellnummer3368674
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.65V
Verlustleistung312W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Bauform - TransistorTO-3PN
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
50A
Verlustleistung
312W
Bauform - Transistor
TO-3PN
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.65V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007257
Produktnachverfolgung