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FGA25N120ANTDTU-F109
IGBT, NPT Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Broche(s)
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGA25N120ANTDTU-F109
Code Commande3368674
Fiche technique
Courant Collecteur Continu50A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.65V
Dissipation de puissance312W
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Type de boîtier de transistorTO-3PN
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
50A
Dissipation de puissance
312W
Type de boîtier de transistor
TO-3PN
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.65V
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007257
Traçabilité des produits