FDC6327C
Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.468 |
| 500+ | CHF 0.376 |
| 1500+ | CHF 0.333 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
FDC6327C ist ein zweifacher n/p-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Diese Technologie ist speziell darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Dieser Baustein bietet eine herausragende Verlustleistung in einem sehr kompakten Gehäuse und eignet sich für Anwendungen, in denen größere und teurere Gehäuse unpraktisch sind. Er eignet sich unter anderem für Lastschalt- und DC/DC-Wandleranwendungen.
- Niedrige Gate-Ladung
- Hohe Schaltfrequenz
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Kompakte Abmessungen
- Geringe Bauhöhe
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
n- und p-Kanal
20V
1.9A
0.17ohm
6Pin(s)
960mW
PowerTrench Series
MSL 1 - unbegrenzt
20V
2.7A
0.08ohm
SuperSOT
960mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat