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BC847BDW1T3G
Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
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| Menge | |
|---|---|
| 10000+ | CHF 0.0227 |
| 30000+ | CHF 0.020 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC847BDW1T3G
Bestellnummer4319721
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.45V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN100mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN380mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.200hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN100MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
100mA
Verlustleistung, NPN
380mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
200hFE
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
100MHz
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BC847BDW1T3G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000016
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