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TIP122G
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.889 |
| 10+ | CHF 0.684 |
| 100+ | CHF 0.394 |
| 500+ | CHF 0.274 |
| 1000+ | CHF 0.243 |
| 5000+ | CHF 0.231 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerTIP122G
Bestellnummer9557881
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd65W
DC-Kollektorstrom5A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The TIP122G is an NPN Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors.
- High DC current gain
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
65W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
5A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für TIP122G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.027216
Produktnachverfolgung