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TIP102G
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.890 |
| 10+ | CHF 0.918 |
| 100+ | CHF 0.728 |
| 500+ | CHF 0.627 |
| 1000+ | CHF 0.579 |
| 5000+ | CHF 0.568 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerTIP102G
Bestellnummer9556362
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd80W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE200hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
TIP102G ist ein bipolarer 8A-NPN-Leistungs-Darlington-Transistor, der für universelle Verstärkungs- und Low-Speed-Schaltanwendungen ausgelegt ist.
- Komplementärer Baustein
- Monolithische Konstruktion mit integrierten Basis-Emitter-Messwiderständen
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
80W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
200hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für TIP102G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002835
Produktnachverfolgung