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SMMBTA56LT3G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10000+ | CHF 0.0323 |
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Mehrere: 10000
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSMMBTA56LT3G
Bestellnummer3615685
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz50MHz
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
500mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
50MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung