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SBCP53T1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.183 |
| 500+ | CHF 0.142 |
| 1000+ | CHF 0.134 |
| 5000+ | CHF 0.113 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSBCP53T1G
Bestellnummer2728073RL
ProduktpaletteBCP53
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauer-Kollektorstrom1.5A
Verlustleistung1.5W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz50MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.25hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBCP53
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
1.5A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
25hFE
Produktpalette
BCP53
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
1.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
50MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000116