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QEE123
Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQEE123
Bestellnummer2825070
ProduktpaletteQEE12X Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.170 |
| 10+ | CHF 0.745 |
| 25+ | CHF 0.670 |
| 50+ | CHF 0.593 |
| 100+ | CHF 0.518 |
| 500+ | CHF 0.382 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQEE123
Bestellnummer2825070
ProduktpaletteQEE12X Series
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge890nm
Halbwertswinkel50°
Bauform - DiodeRadial bedrahtet
Strahlungsintensität (Ie)9mW/Sr
Anstiegszeit900ns
Abfallzeit tf800ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)100mA
Durchlassspannung Vf max.1.7V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.100°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
ProduktpaletteQEE12X Series
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
890nm
Bauform - Diode
Radial bedrahtet
Anstiegszeit
900ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
100mA
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
-
Halbwertswinkel
50°
Strahlungsintensität (Ie)
9mW/Sr
Abfallzeit tf
800ns
Durchlassspannung Vf max.
1.7V
Betriebstemperatur, max.
100°C
Produktpalette
QEE12X Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000635