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NXV08V080DB1
MOSFET-Transistor, 130 A, 80 V, 0.003 ohm, 10 V, 4 V
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| Menge | |
|---|---|
| 44+ | CHF 17.900 |
Preiseinheit:Stange (Tube) à 1
Minimum: 44
Mehrere: 44
CHF 787.60 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXV08V080DB1
Bestellnummer3617527
Technisches Datenblatt
Kanaltyp-
Dauer-Drainstrom Id130A
Drain-Source-Spannung Vds80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
-
Produktpalette
-
Dauer-Drainstrom Id
130A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.003ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung