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NVMFD6H846NLT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 31 A, 31 A, 0.0122 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.010 |
| 10+ | CHF 1.500 |
| 100+ | CHF 1.070 |
| 500+ | CHF 0.875 |
| 1000+ | CHF 0.841 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD6H846NLT1G
Bestellnummer3528519
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal80V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal31A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal31A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0122ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0122ohm
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal34W
Verlustleistung, p-Kanal34W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
31A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0122ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
34W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
31A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0122ohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
34W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0034
Produktnachverfolgung