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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFD6H846NLT1G
Code Commande3528519
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N80V
Tension drain source Vds, Canal P80V
Courant de drain continu Id, Canal N31A
Courant de drain continu Id, Canal P31A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0122ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0122ohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P34W
Dissipation de puissance, Canal P34W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
80V
Courant de drain continu Id, Canal P
31A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0122ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
34W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
80V
Courant de drain continu Id, Canal N
31A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0122ohm
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Dissipation de puissance Canal P
34W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0034
Traçabilité des produits