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NVMFD5C462NLT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 84 A, 84 A, 0.0039 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.960 |
| 10+ | CHF 1.940 |
| 100+ | CHF 1.400 |
| 500+ | CHF 1.130 |
| 1000+ | CHF 1.110 |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5C462NLT1G
Bestellnummer2835600
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal84A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal84A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0039ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0039ohm
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal50W
Verlustleistung, p-Kanal50W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
84A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0039ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
50W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
84A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0039ohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
50W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung