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500+ | CHF 0.800 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNDT456P
Bestellnummer9846190
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.026ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung3W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NDT456P ist ein p-Kanal-Logikpegel-FET (Anreicherungstyp), der die DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte verwendet. Dieser Prozess wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine herausragende Schaltleistung bereitzustellen.
- Design mit hoher Zelldichte für äußerst niedrigen Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.026ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000272
Produktnachverfolgung