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NCP5106ADR2G
MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.320 |
| 10+ | CHF 1.010 |
| 50+ | CHF 0.907 |
| 100+ | CHF 0.777 |
| 250+ | CHF 0.673 |
| 500+ | CHF 0.611 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCP5106ADR2G
Bestellnummer1547133
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-TreiberIsoliert
TreiberkonfigurationHigh-Side und Low-Side
LeistungsschalterIGBT, MOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom250mA
Sinkstrom500mA
Versorgungsspannung, min.10V
Versorgungsspannung, max.20V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung100ns
Ausgabeverzögerung100ns
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
High-Side und Low-Side
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
250mA
Versorgungsspannung, min.
10V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
100ns
Produktpalette
-
MSL
-
Gate-Treiber
Isoliert
Leistungsschalter
IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
500mA
Versorgungsspannung, max.
20V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
100ns
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000208
Produktnachverfolgung