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MSD42WT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 500+ | CHF 0.0584 |
| 1000+ | CHF 0.0485 |
| 5000+ | CHF 0.0413 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMSD42WT1G
Bestellnummer2774796RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.300V
Dauer-Kollektorstrom150mA
Verlustleistung450mW
Bauform - TransistorSC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
150mA
Bauform - Transistor
SC-70
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
300V
Verlustleistung
450mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000153
Produktnachverfolgung