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MMUN2233LT1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.107 |
| 10+ | CHF 0.0636 |
| 100+ | CHF 0.0394 |
| 500+ | CHF 0.0264 |
| 1000+ | CHF 0.0231 |
| 5000+ | CHF 0.0165 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMUN2233LT1G
Bestellnummer1651085
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R14.7kohm
Basis-Emitter-Widerstand R247kohm
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung400mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Der Baustein MMUN2233LT1G besteht aus einem einzigen NPN-Transistor mit einem monolithischen Bias-Widerstandsnetzwerk (BRT), das aus zwei Widerständen, einem Basiswiderstand (Reihe) und einem Basis-Emitter-Widerstand besteht. Da der BRT diese Bauelemente in einem einzigen Baustein vereint, sind sie nicht mehr separat erforderlich. Die Verwendung eines BRT kann sowohl die Systemkosten als auch den Platzverbrauch auf der Leiterplatte reduzieren.
- Vereinfacht das Schaltungsdesign
- Reduziert die Anzahl an Bauelementen
- AEC-Q101-qualifiziert
- PPAP-fähig
- Input forward voltage is 30VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input reverse voltage is 5VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Total device dissipation is 230mW max (TA = 25°C)
- DC current gain is 200 (IC = 5.0mA, VCE = 10V, TA = 25°C)
- Input resistor range from 3.3 to 6.1kohm (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- SOT-23 package, junction temperature range from -55 to +150°C
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
4.7kohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
47kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
400mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMUN2233LT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
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