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MMUN2131LT1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.133 |
| 10+ | CHF 0.0853 |
| 100+ | CHF 0.0534 |
| 500+ | CHF 0.0319 |
| 1000+ | CHF 0.0229 |
| 5000+ | CHF 0.0187 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMUN2131LT1G
Bestellnummer2727988
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R12.2kohm
Basis-Emitter-Widerstand R22.2kohm
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung400mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.8hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
2.2kohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
2.2kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
400mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
8hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMUN2131LT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
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