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MMBTA28
Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 350 mW, 800 mA, SuperSOT, 3 Pin(s)
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| Menge | |
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| 10+ | CHF 0.236 |
| 100+ | CHF 0.155 |
| 500+ | CHF 0.119 |
| 1000+ | CHF 0.117 |
| 5000+ | CHF 0.0989 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBTA28
Bestellnummer2825121
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo80V
Verlustleistung Pd350mW
DC-Kollektorstrom800mA
Bauform - HF-TransistorSuperSOT
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE10000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
350mW
Bauform - HF-Transistor
SuperSOT
DC-Stromverstärkung hFE
10000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
80V
DC-Kollektorstrom
800mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBTA28
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
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