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MMBT2222ATT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT2222ATT1G
Bestellnummer2317877
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom600mA
Verlustleistung150mW
Bauform - TransistorSOT-416
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-416
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
150mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für MMBT2222ATT1G
6 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000026
Produktnachverfolgung