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MMBT2222ATT1G
Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT2222ATT1G
Code Commande2317877
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max40V
Courant Collecteur Continu600mA
Dissipation de puissance150mW
Type de boîtier de transistorSOT-416
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition300MHz
Gain de courant DC hFE Min.35hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
600mA
Type de boîtier de transistor
SOT-416
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
35hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
40V
Dissipation de puissance
150mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
300MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour MMBT2222ATT1G
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000026
Traçabilité des produits