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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJH11022G
Bestellnummer1611190
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo250V
Verlustleistung Pd150W
DC-Kollektorstrom15A
Bauform - HF-TransistorTO-218
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE100hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJH11022G is a 250V NPN Darlington Bipolar Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11021 (PNP) and MJH11022 (NPN) are complementary devices.
- High DC current gain
- 250VDC Minimum collector-emitter sustaining voltage (VCEO(sus))
- Low collector-emitter saturation voltage (VCE (sat))
- Monolithic construction
- 250VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 30ADC Peak collector current
- 0.5A DC Base current (IB)
- 0.83°C/W Thermal resistance, junction to case
Anwendungen
Industrie, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
150W
Bauform - HF-Transistor
TO-218
DC-Stromverstärkung hFE
100hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
250V
DC-Kollektorstrom
15A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003856
Produktnachverfolgung