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MJD122T4G
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | CHF 0.413 |
| 1000+ | CHF 0.371 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD122T4G
Bestellnummer2317578RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd20W
Dauer-Kollektorstrom8A
Verlustleistung20W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-252 (DPAK)
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Übergangsfrequenz4MHz
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.1000hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
Dauer-Kollektorstrom
8A
DC-Kollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Übergangsfrequenz
4MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
1000hFE
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung Pd
20W
Verlustleistung
20W
Bauform - HF-Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD122T4G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00033
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