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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD122G
Bestellnummer9557075
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd1.75W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-252 (DPAK)
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE12hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MJD122G ist ein komplementärer 100V-Silizium-NPN-Darlington-Bipolartransistor für universelle Verstärkungs- und langsame Schaltanwendungen. Dieser Transistor ist ein SMD-Ersatz für Transistoren der Produktreihe 2N6040-2N6045, TIP120-TIP122 und TIP125-TIP127. Er ist eine monolithische Konstruktion mit integriertem Basis-Emitter-Messwiderstand.
- Anschlüsse geformt für SMD-Anwendung in Kunststoffhülsen
- Hohe DC-Stromverstärkung
- Epoxid entspricht UL 94V-0
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
1.75W
Bauform - HF-Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
DC-Stromverstärkung hFE
12hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MJD122G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung