MICROFJ-30035-TSV-TR1

Die Sensoren der Produktreihe J von ON Semiconductor verfügen über eine hohe PDE (Photon-Detektions-Effizienz), die erreicht wird durch die Verwendung eines volumenstarken P-auf-N-Siliziumgießverfahrens. Die Sensoren der Produktreihe J bieten deutliche Verbesserungen bei der Steuerung der Signallaufzeit (Transit Time Spread, TTS), was zu einer deutlichen Verbesserung bei der Timing-Leistung des Sensors führt. Sie sind in verschiedenen Größen (3mm, 4mm und 6mm) erhältlich und verwenden ein TSV-Verfahren (Through Silicon Via), um ein Gehäuse mit minimalem Totraum zu erzeugen, das kompatibel ist mit bleifreien Reflow-Lötverfahren gemäß Instrustriestandard.

• Hochdichte Mikrozellen
• Sensoren der Produktreihe J verfügen über den einzigartigen „Fast Output“-Anschluss von ON Semiconductor
• Temperaturstabilität: 21.5mV/°C
• Herausragende Homogenität der Durchbruchspannung: ± 250mV
• Erhältlich in einem TSV-Chip-Scale-Gehäuse, das mit Reflow-Lötverfahren kompatibel ist
• Äußerst niedrige Dunkelzählrate, typ.: 50kHz/mm2
• Optimiert für leistungsstarke Timing-Anwendungen wie ToF-PET
• Vorspannung: unter 30V
• Sensorgrößen: 3mm, 4mm und 6mm