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MCH6351-TL-W
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMCH6351-TL-W
Bestellnummer3368846
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.014ohm
Bauform - TransistorSOT-363
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.3V
Verlustleistung1.5W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9A
Bauform - Transistor
SOT-363
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.014ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.3V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung