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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMCH6351-TL-W
Code Commande3368846
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds12V
Courant de drain Id9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.014ohm
Type de boîtier de transistorSOT-363
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.3V
Dissipation de puissance1.5W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
9A
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.014ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.3V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits