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Menge | |
---|---|
5+ | CHF 0.200 |
10+ | CHF 0.112 |
100+ | CHF 0.0734 |
500+ | CHF 0.0544 |
1000+ | CHF 0.0471 |
5000+ | CHF 0.0399 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMBT6429DW1T1G
Bestellnummer2724489
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.45V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN200mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN150mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.500hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSC-88
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN700MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
200mA
Verlustleistung, NPN
150mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
500hFE
Bauform - Transistor
SC-88
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
700MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung