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FGH40N60SMD
IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.060 |
| 10+ | CHF 4.930 |
| 100+ | CHF 2.890 |
| 500+ | CHF 2.400 |
| 1000+ | CHF 2.030 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 5.06 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGH40N60SMD
Bestellnummer2083378
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.9V
Verlustleistung349W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-247AB
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
- Feldstopp-IGBT, 600V, 40A
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hohe Strombelastbarkeit
- Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat)=1.9V bei Ic=40A
- Hohe Eingangsimpedanz
- Hohe Schaltfrequenz
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
349W
Bauform - Transistor
TO-247AB
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.9V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00542
Produktnachverfolgung