FFSD08120A
SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.130 |
| 10+ | CHF 2.810 |
| 100+ | CHF 2.690 |
| 500+ | CHF 2.440 |
| 1000+ | CHF 2.400 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Die Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden nutzen eine vollständig neue Technologie, die eine herausragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bieten. Siliziumkarbid-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistung. Damit stellen sie die nächste Generation von Halbleitern dar. Systemvorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine höhere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, reduzierte elektromagnetische Störungen (EMI) und eine reduzierte Systemgröße sowie geringere Systemkosten.
- Sperrschichttemperatur, max.: 175°C
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Avalanche-fähig: 200mJ
- Keine Reverse-Recovery/keine Forward-Recovery
- Einfache Parallelschaltung
- Hohe Stoßstromfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient
Technische Spezifikationen
EliteSiC Series
1.2kV
55nC
3 Pins
Oberflächenmontage
Lead (27-Jun-2024)
Einfach
8A
TO-252 (DPAK)
175°C
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat