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FDP2D3N10C
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDP2D3N10C
Bestellnummer2768333
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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1–2 Werktage Lieferzeit
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 6.410 |
| 5+ | CHF 5.030 |
| 10+ | CHF 3.640 |
| 50+ | CHF 3.490 |
| 100+ | CHF 3.340 |
| 250+ | CHF 3.270 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 6.41 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDP2D3N10C
Bestellnummer2768333
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id222A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0021ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung214W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
222A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
214W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0021ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002983
Produktnachverfolgung