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Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDMC4435BZ
Bestellnummer2323179
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorMLP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung31W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The FDMC4435BZ is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 100% UIL tested
- 7kV typical HBM ESD protection level
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Bauform - Transistor
MLP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
31W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000149