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FDMC3612
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.857 |
| 10+ | CHF 0.625 |
| 100+ | CHF 0.432 |
| 500+ | CHF 0.347 |
| 1000+ | CHF 0.304 |
| 5000+ | CHF 0.260 |
Preiseinheit:Stück
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDMC3612
Bestellnummer2083247
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.092ohm
Bauform - TransistorWDFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung35W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The FDMC3612 is an N-channel MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
16A
Bauform - Transistor
WDFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
35W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.092ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDMC3612
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
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