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FDD86252
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.090 |
| 10+ | CHF 0.863 |
| 100+ | CHF 0.594 |
| 500+ | CHF 0.509 |
| 1000+ | CHF 0.485 |
| 5000+ | CHF 0.459 |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD86252
Bestellnummer2083238
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.1V
Verlustleistung89W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDD86252 handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Er wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu minimieren und eine herausragende Schaltleistung zu erreichen.
- Shielded-Gate-MOSFET-Technologie
- 100% UIL-getestet
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
27A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
89W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDD86252
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003