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FDD4243
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | CHF 0.606 |
| 100+ | CHF 0.416 |
| 500+ | CHF 0.360 |
| 1000+ | CHF 0.318 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD4243
Bestellnummer1495262
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.044ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung42W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The FDD4243 is a P-channel MOSFET produced using PowerTrench® technology to deliver low RDS (ON) and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
14A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
42W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.044ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003