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FDC3601N

Name: Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
Brand: ONSEMI
SKU: 1471035RL
Availability: InStock

Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerFDC3601N

Bestellnummer1471035RL

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Menge
100+	CHF 0.347
500+	CHF 0.267
1000+	CHF 0.237
5000+	CHF 0.212

Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)

Minimum: 100

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Produktspezifikationen

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerFDC3601N

Bestellnummer1471035RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Kanaltypn-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal1A

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.5ohm

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-

Bauform - TransistorSuperSOT

Anzahl der Pins6Pin(s)

Verlustleistung, n-Kanal960mW

Verlustleistung, p-Kanal-

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

Qualifikation-

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Produktbeschreibung

Beim Modell FDC3601N handelt es sich um einen zweifachen 100V-n-Kanal-Leistungs-PowerTrench®-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung zu erhalten für eine hervorragende Schaltleistung. Der neueste Leistungs-MOSFET für den mittleren Spannungsbereich ist ein optimierter Leistungsschalter, der eine niedrige Gate-Ladung (QG), eine geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Reverse-Recovery-Body-Diode kombiniert, wodurch ein schnelles Schalten für die Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen gewährleistet wird. Er verfügt über eine Shielded-Gate-Struktur, die für Ladungsausgleich sorgt. Dank dieser fortschrittlichen Technologie ist die Gütezahl (FOM (QGxRDS(ON))) dieses Bausteins um 66% niedriger im Vergleich zur vorherigen Generation. Durch die Leistung der Soft-Recovery-Body-Diode des neuen PowerTrench®-MOSFET können unerwünschte Spannungsspitzen in Synchrongleichrichtungsanwendungen minimiert werden. Dieses Produkt eignet sich für den universellen Einsatz in vielen verschiedenen Anwendungen.

Niedrige Gate-Ladung
Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(on)

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

n-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal

Anzahl der Pins

6Pin(s)

Verlustleistung, p-Kanal

Produktpalette

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal

100V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal

0.5ohm

Bauform - Transistor

SuperSOT

Verlustleistung, n-Kanal

960mW

Betriebstemperatur, max.

150°C

Qualifikation

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Technische Dokumente (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.000001

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