FDB33N25TM
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.230 |
| 10+ | CHF 1.680 |
| 100+ | CHF 1.250 |
| 500+ | CHF 1.210 |
| 1000+ | CHF 0.986 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
FDB33N25TM ist ein universell einsetzbarer 250V-n-Kanal-UniFET™ MOSFET basierend auf der Planar Stripe- und DMOS-Technologie. Dieser Hochspannungs-MOSFET ist darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu reduzieren sowie eine bessere Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energie zu bieten. Die Reverse-Recovery-Leistung der Body-Diode des UniFET FRFET®-MOSFET wurde verbessert durch eine Lebenszeitkontrolle. Die trr beträgt weniger als 100ns und die dv/dt-Festigkeit in Sperrrichtung beträgt 15V/ns, im Vergleich zu 200ns bzw. 4.5V/ns bei normalen planaren MOSFETs. Dadurch können zusätzliche Bauelemente unnötig gemacht und die Systemzuverlässigkeit erhöht werden in bestimmten Anwendungen, in denen die Leistung der Body-Diode des MOSFET von hoher Bedeutung ist. Der Baustein eignet sich für Schaltwandleranwendungen wie PFC-Schaltungen, FPD-TV, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.
- Niedrige Gate-Ladung
- 100% Avalanche-getestet
Anwendungen
Power-Management, Beleuchtung
Technische Spezifikationen
n-Kanal
33A
TO-263AB
10V
235W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
250V
0.094ohm
Oberflächenmontage
3V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat