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BF720T1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 100 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.483 |
| 10+ | CHF 0.318 |
| 100+ | CHF 0.213 |
| 500+ | CHF 0.157 |
| 1000+ | CHF 0.139 |
| 5000+ | CHF 0.114 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBF720T1G
Bestellnummer2101809
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.300V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung1.5W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz60MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BF720T1G ist ein NPN-Kleinsignal-Bipolartransistor zur Verwendung in universellen Verstärker- und Schaltanwendungen. Das Gehäuse des Bausteins ist ausgelegt für SMD-Anwendungen im mittleren Leistungsbereich.
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
300V
Verlustleistung
1.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
60MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454