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BC849BLT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC849BLT1G
Bestellnummer9558616
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.30V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.290hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC849BLT1G ist ein universeller NPN-Bipolartransistor zur Verwendung in linearen Anwendungen und Schaltanwendungen. Das Gehäuse des Bausteins ist ausgelegt für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme.
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit: MSL-1
- ESD-Schutz bis <gt/>4000V HBM und <gt/>400V MM
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
290hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
30V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000136
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