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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC849BLT1G
Code Commande9558616
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max30V
Courant Collecteur Continu100mA
Dissipation de puissance225mW
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition100MHz
Gain de courant DC hFE Min.290hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BC849BLT1G est un transistor bipolaire NPN conçu pour être utilisé dans les applications linéaires et de commutation. Il est logé dans le boîtier conçu pour les applications à montage en surface de faible puissance.
- Sensibilité de condensation niveau -1
- Modèle corps humain <gt/>4000V et modèle machine <gt/>400V - ESD
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
100mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
290hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
30V
Dissipation de puissance
225mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
100MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000136
Traçabilité des produits