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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBAS40-04LT1G
Bestellnummer2317418
ProduktpaletteBAS40
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationZweipaarig in Reihe
Wiederkehrende Spitzensperrspannung40V
Durchschnittlicher Durchlassstrom120mA
Durchlassspannung, max.1V
Durchlassstoßstrom200mA
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
Sperrverzögerungszeit-
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBAS40
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BAS40-04LT1G handelt es sich um Schottky-Barrier-Dioden (zweifach in Reihe) für High-Speed-Schaltanwendungen, Schaltungsschutz und Spannungsbegrenzung. Durch die äußerst niedrige Durchlassspannung werden Leitungsverluste reduziert. Das Miniatur-SMD-Gehäuse eignet sich hervorragend für tragbare Anwendungen mit beengten Platzverhältnissen.
- Äußerst hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Durchlassspannung, typ.: 0.50V bei IF = 10mA
- AEC-qualifiziert und PPAP-fähig
- Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei
Anwendungen
Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Zweipaarig in Reihe
Durchschnittlicher Durchlassstrom
120mA
Durchlassstoßstrom
200mA
Bauform - Diode
SOT-23
Sperrverzögerungszeit
-
Produktpalette
BAS40
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Wiederkehrende Spitzensperrspannung
40V
Durchlassspannung, max.
1V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung