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4N25M
Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 20 %
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.592 |
| 10+ | CHF 0.347 |
| 25+ | CHF 0.313 |
| 50+ | CHF 0.279 |
| 100+ | CHF 0.245 |
| 500+ | CHF 0.241 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer4N25M
Bestellnummer1021349
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle1 Kanal
Bauform - OptokopplerDIP
Anzahl der Pins6Pin(s)
Durchlassstrom If, max.60mA
Isolationsspannung7.5kV
CTR, min.20%
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo30V
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
4N25M ist ein 6-poliger, universell einsetzbarer Fototransistor-Optokoppler, der aus einer Galliumarsenid-Infrarot-LED besteht, die einen Silizium-Fototransistor ansteuert. Dieser Optokoppler eignet sich für digitale Logikeingänge und Mikroprozessoreingänge.
- Isolationsspannung, max.: 850V
- Höchste zulässige Überspannung: 6000V
- Betriebstemperatur: -40 bis +100°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
1 Kanal
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Isolationsspannung
7.5kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Optokoppler
DIP
Durchlassstrom If, max.
60mA
CTR, min.
20%
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000939
Produktnachverfolgung