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2SA1943OTU
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.850 |
| 10+ | CHF 4.310 |
| 100+ | CHF 2.580 |
| 500+ | CHF 2.440 |
| 1000+ | CHF 2.190 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SA1943OTU
Bestellnummer2453763
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.250V
Dauer-Kollektorstrom17A
Verlustleistung150W
Bauform - TransistorTO-264
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz30MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The 2SA1943OTU is a PNP epitaxial Silicon Transistor with excellent gain linearity for low THD, high current capability and high power dissipation.
- High voltage
- High frequency
- Complement to 2SC5200/FJL4315
Anwendungen
Audio, Industrie
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
17A
Bauform - Transistor
TO-264
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
250V
Verlustleistung
150W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
30MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.013608
Produktnachverfolgung