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2N7002ET1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N7002ET1G
Bestellnummer2317616RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id310mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand2.5ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung420mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
Beim Modell 2N7002ET1G handelt es sich um einen n-Kanal-Kleinsignal-MOSFET in Trench-Technologie mit niedriger Drain/Source-Spannung. Er ist geeignet für Low-Side-Leistungsschalter und Schaltungen zur Pegelumsetzung.
- Gepulster Drainstrom: 1.2A
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Halogenfrei
Anwendungen
Industrie, Unterhaltungselektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
310mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
420mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N7002ET1G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033