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PUMD18,115
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.207 |
| 10+ | CHF 0.115 |
| 100+ | CHF 0.0727 |
| 500+ | CHF 0.0511 |
| 1000+ | CHF 0.0377 |
| 5000+ | CHF 0.0368 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPUMD18,115
Bestellnummer2777619
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R14.7kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorSC-88
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung300mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
4.7kohm
Bauform - Transistor
SC-88
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
300mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung