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PSMN011-60MLX
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9100 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.310 |
| 10+ | CHF 0.901 |
| 100+ | CHF 0.596 |
| 500+ | CHF 0.471 |
| 1000+ | CHF 0.412 |
| 5000+ | CHF 0.332 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPSMN011-60MLX
Bestellnummer3440087
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id61A
Drain-Source-Durchgangswiderstand9100µohm
Bauform - TransistorLFPAK33
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung91W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
PSMN011-60MLX is a logic level enhancement mode N-channel MOSFET in the LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The applications include AC-to-DC converters, synchronous rectification, and DC-DC converters.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- Suitable for standard level gate drive sources
- LFPAK33 package is footprint compatible with other 3.3mm types, qualified to 175°C
- Drain-source voltage is 60V max (Tj = 25°C), drain current is 61A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C)
- Total power dissipation is 91W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 9.35mohm typ (VGS = 10V; ID = 15A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 5.1nC typ (VGS = 4.5V; ID = 15A; VDS = 30V; Tj = 25°C)
- Peak drain current is 91W max (Tmb = 25°C)
- Source current is 70A max (Tmb = 25°C)
- 4 leads SOT1210 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
61A
Bauform - Transistor
LFPAK33
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
91W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
9100µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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