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PSMN011-60MLX
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 61 A, 9100 µohm, LFPAK33, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 12 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.310 |
| 10+ | CHF 0.901 |
| 100+ | CHF 0.596 |
| 500+ | CHF 0.471 |
| 1000+ | CHF 0.412 |
| 5000+ | CHF 0.332 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.31 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN011-60MLX
Code Commande3440087
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id61A
Résistance Drain-Source à l'état-ON9100µohm
Type de boîtier de transistorLFPAK33
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance91W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
PSMN011-60MLX is a logic level enhancement mode N-channel MOSFET in the LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The applications include AC-to-DC converters, synchronous rectification, and DC-DC converters.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- Suitable for standard level gate drive sources
- LFPAK33 package is footprint compatible with other 3.3mm types, qualified to 175°C
- Drain-source voltage is 60V max (Tj = 25°C), drain current is 61A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C)
- Total power dissipation is 91W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 9.35mohm typ (VGS = 10V; ID = 15A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 5.1nC typ (VGS = 4.5V; ID = 15A; VDS = 30V; Tj = 25°C)
- Peak drain current is 91W max (Tmb = 25°C)
- Source current is 70A max (Tmb = 25°C)
- 4 leads SOT1210 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
61A
Type de boîtier de transistor
LFPAK33
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
91W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
9100µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits