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PMZ200UNEYL
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.21 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10000+ | CHF 0.0397 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMZ200UNEYL
Bestellnummer2498592
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.21ohm
Bauform - TransistorSOT-883
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.700mV
Verlustleistung350mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.4A
Bauform - Transistor
SOT-883
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
350mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.21ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
700mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00082
Produktnachverfolgung