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PMN40SNAH
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.243 |
| 500+ | CHF 0.176 |
| 1000+ | CHF 0.142 |
| 5000+ | CHF 0.139 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMN40SNAH
Bestellnummer4550975RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung650mW
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.036ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dauer-Drainstrom Id
4.7A
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
650mW
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung